AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEMT结构电子限制特性研究

摘要：

　　通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效地消除了传统AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道结构中的第二导电沟道，同时又保持了主沟道中2DEG良好的限制能力。研究了该结构的能带和电子限制特性，并从极化角度阐明其物理机制是由于GaN/AlN/AlGaN异质界面附近净的负极化电荷对第二沟道2DEG的捧斥作用。

关键词： 场效应器件 高电子迁移率晶体管 氮化物半导体 异质结构

作者: 彭恩超 Enchao Peng Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Chun Feng 冯春 Lijuan Jiang 姜丽娟 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈弘 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Key Lab of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所,西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所,西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics, Beifing, 10083, Chi 中国科学院半导体研究所,西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 57-60

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）