喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响

摘要：

　　在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明,随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减小,垒／阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减小；增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。

关键词： 化合物半导体 金属有机化学气相沉积 喷淋头高度 量子阱

作者: Yunjie Ke 柯昀洁 梁红伟 Hongwei Liang Rensheng Shen 申人升 Shiwei Song 宋世巍 Xiaochuan Xia 夏晓川 Yang Liu 柳阳 张克雄 Kexiong Zhang Guotong Du 杜国同

作者单位: School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, Ch 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116024 School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, 116024, Ch 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116024;集成光电子学国家重点实验室,电子科学与工程学院,吉林大学,长春 130012

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 65-68

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）