利用低温GaN插入层提升AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构中2DEG迁移性质

摘要：

　　本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓度和迁移率都明显降低。低温GaN插入层能够有效缓解InAlN在高温下的结构质量退化,从而能够提高2DEG浓度和迁移率。霍尔测试表明,AIGaN/lnAlN/AlN/GaN结构在855℃比较稳定。但是,当温度进一步升高时,InAlN的晶体质量退化不可避免。

关键词： 高迁移率晶体管 氮化镓插入层 二维电子气 迁移性质

作者: 丁杰钦 Jieqin Ding Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Chun Feng 冯春 Hong Chen 陈竑 Haobo Yin 殷海波 Lijuan Jiang 姜丽娟 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beiji Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beiji 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beiji ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics, Beging,10083, China 国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 75-78

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）