InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究

摘要：

　　利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件一样，该散射机制对方形和圆形的In0.18Al0.82N/AlN/GaN HFET器件中的二维电子气(2DEG)电子迁移率同样有着重要影响。

关键词： 半导体技术 异质结场效应晶体管 极化库仑场散射 二维电子气 电子迁移率

作者: Jingtao Zhao 赵景涛 Zhaojun Lin 林兆军 Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhihong Feng 冯志红 Yuanjie Lv 吕元杰 Zhanguo Wang 王占国

作者单位: School of Physics, Shandong University, Jinan, 250100,China 山东大学物理学院,济南 250100 Science and Technology on ASIC Laboratory, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, 050 专用集成电路国家重点实验室,石家庄 050051 Laboratory of Seraiconductor Materials Science, Institute of Sermiconductors, Chinese Academy of Sci 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 79-82

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）