表面态对AlGaN/GaN异质结构中2DEG影响的模拟研究

摘要：

　　本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模拟显示施主表面态为2DEG中电子来源,A1GaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变影响AlGaN能带结构及2DEG密度。

关键词： 半导体材料 异质结构 施主表面态 二维电子气

作者: Fan Yang 杨帆 Zhexiong Lin 林哲雄 Wei Zhang 张炜 Jincheng Zhang 张金城 Zhiyuan He 贺致远 Yiqiang Ni 倪毅强 Yang Liu 刘扬

作者单位: School of Physics and technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, China 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 85-89

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）