不同衬底对InGaN多量子阱太阳电池性能的影响

摘要：

　　本文利用脉冲沉积MOCVD方法分别在planar和pss蓝宝石衬底上制备出了lnGaN多量子阱太阳电池,并测试了器件的IV特性。结果表明,pss衬底上制备的电池性能明显优于planar衬底,其转换效率达到了0.64％,开路电压和短路电流分别为2.25V和0.5840 mA/cm2。

关键词： 太阳电池 半导体衬底 转换效率 多量子阱

作者: Zhen Bi 毕臻 Jincheng Zhang 张进成 Yaowei Hou 侯耀伟 Xiaowei Zhou 周小伟 Yue Hao 郝跃

作者单位: School of Science, Xidian University, Xi”an, 710071, China 西安电子科技大学理学院,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 90-91

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）