负栅压偏置下AlGaN/GaN HEMTs的器件退化机制

摘要：

　　通过对器件在Vds=OV条件下进行阶跃电应力测试,研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)在负棚压偏置条件下的退化机制。测试结果显示,当超过某一临界应力电压时,AlGaN/GaN HEMTs特性开始显著退化。该实验结果与逆压电极化效应引起晶格缺陷形成,从而导致器件特性退化的理论相符合。阶跃电应力测试结束后,对退化的器件进行特性表征,并将测试结果与器件施加应力之前的特性进行对比。分析表明,逆压电极化效应形成的陷阱会俘获电子,从而使得器件的沟道载流子浓度降低,饱和漏极电流减小。

关键词： 半导体器件 高电子迁移率晶体管 负栅压偏置 退化机制 阶跃应力 逆压电极化效应

作者: Chen Weiwei 陈伟伟 Hou Bin 侯斌 Zhu Jiejie 祝杰杰 Li Weijun 李卫军 Zhang Huilong 张会龙 Ma Xiaohua 马晓华

作者单位: School of Technical Physics,Xidian University, Xi”an, 710071, China 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071 School of Technical Physics,Xidian University, Xi”an, 710071, China; Key Lab of Ministry of Educatio 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 92-95

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）