InGaN太阳能电池的研制

摘要：

　　在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转换效率主要归因于电池较大的串联电阻,较低的开路电压和较小的短路电流。

关键词： 太阳能电池 半导体材料 异质结构 量子阱

作者: 邓庆文 Qingwen Deng Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 王翠梅 Cuimei Wang 姜丽娟 Lijuan Jiang Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Liang Jing 井亮 Zhidong Li 李志东 Jianping Li 李建平 刘宏新 Hongxin Liu 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 10083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 10083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences LSCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics, Beijing, 10083, Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 10083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 96-99

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）