GaN基蓝光激光器上波导层的优化

摘要：

　　传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效地增大了激光器的量子阱限制因子,减小了激光器的吸收损耗和应力,得到了“原子级光洁”的激光器腔面。通过数值计算的方法优化了GaN基蓝光激光器中lnGaN波导层的厚度和In组分。在此基础上,实现了GaN基蓝光激光器的室温连续激射,激光器的阈值电流密度为3.25kA/cm2,阈值电压为5.9V,激射波长为452nm。

关键词： 蓝光激光器 氮化镓半导体 波导层 优化设计 损耗吸收

作者: Meixin Feng 冯美鑫 张书明 Shuming Zhang Chang Zeng 曾畅 Jianping Liu 刘建平 Deyao Li 李德尧 Liqun Zhang 张立群 Zengcheng Li 李增成 王峰 Feng Wang Hui Yang 杨辉

作者单位: Key Laboratory ofNanodevices andApplications, Chinese Academy of Sciences ; Suzhou Nano-Ray Optoelec 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州 2151232;苏州纳睿光电有限公司,苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 100-103

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）