Ka波段AlGaN/GaN HEMT栅结构的仿真研究

摘要：

　　本文通过Silvaco软件,仿真分析了栅结构参数的变化对AlGaN/GaN HEMT的性能影响,并优化栅结构得到适合Ka波段的高性能器件。优化得到fr为48GHz,fmax为13IGHz,35GHz增益为12.4dB。从而得到Ka波段高性能功率器件的结构尺寸,栅长为250nm,栅源间距为0.6μm,漏侧栅帽为0.3μn,源侧栅帽为0.2μm。

关键词： 高电子迁移率晶体管 栅结构 Ka波段 仿真分析

作者: Dechun Guo 郭德淳 Junfeng Cui 崔军峰 Kankan Qi 齐侃侃 Xiaobin Luo 罗晓斌

作者单位: School of Information and Electronics, Beijmg Institute of Technology, Beijing, 100081, China 北京理工大学信息与电子学院,北京 100081

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 104-107

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）