AlGaN/GaN HEMT F等离子体过刻蚀对器件特性影响研究

摘要：

　　F等离子体刻蚀在AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)栅场板结构的栅槽刻蚀工艺中广泛采用,F等离子的栅槽过刻蚀时间对HEMTs特性的影响值得关注。实验对比了SiN棚槽刻蚀工艺中三种不同的过刻蚀时间对器件最大饱和电流、跨导峰值、阈值电压、肖特基势垒高度和理想因子的影响,随着过刻蚀时间的增加,饱和电流下降,峰值跨导下降,阈值电压有较小正向移动,通过对不同过刻蚀时间器件肖特基特性分析发现,采用一定的F等离子体过刻蚀能减小棚反向泄漏电流并提高器件击穿电压,但较长的过刻蚀时间栅反向泄漏电流并未继续减小,并且使肖特基理想因子略有增大,器件击穿电压下降。

关键词： 高电子迁移率晶体管 异质结材料 F等离子体 过刻蚀

作者: Yunlong He 何云龙 Chong Wang 王冲 Xuefeng Zheng 郑雪峰 Xiaohua Ma 马晓华 Jincheng Zhang 张进城 Yue Hao 郝跃

作者单位: The School of Microelectronics, Xidian University, Xi”an, 710071,China 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 108-111

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）