应力调控的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组分AlGaN/GaN多量子阱结构生长困难，主要在于其和GaN模板之间存在巨大的晶格失配和热失配，导致多量子阱结构开裂，同时应力导致量子阱界面退化和组分不均匀。本文提出两种应力调控的插入层方法，很好地实现了应力释放，生长出无裂纹的AlGaN/GaN多量子阱结构，并研究了两种应力调控插入层的应力释放方式和生长动力学过程。
化合物半导体材料 多量子阱结构 应力调控 生长特性
黄呈橙 许福军 许正昱 王嘉铭 张霞 王新强 沈波
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
国内会议
开封
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112-112
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）