图形衬底上InGaN/GaN多量子阱太阳能电池生长和研制

摘要：

　　用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰宽为315弧秒，比平面衬底小38％。在室温AMl.5G条件下对制作的两种电池进行了光电转换效率测试。与平面衬底相比，图形衬底上制作的电池的短路电流密度大约60％。结果表明，图形衬底技术可以有效缓解lnGaN电池目前存在的高位错密度和吸收层厚度较薄导致的短路电流较小的问题，从而有望提高太阳能电池的转换效率。

关键词： 太阳能电池 化合物半导体 多量子阱结构 图形衬底

作者: 井亮 Liang Jing Hongling Xiao 肖红领 Xiaoliang Wang 王晓亮 Cuimei Wang 王翠梅 Chun Feng 冯春 Lijuan Jiang 姜丽娟 Hong Chen 陈竑 Haibo Yin 殷海波 Jianping Li 李建平 Hongxin Liu 刘宏新 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beiji Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beiji 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Laboratory of Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beiji ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics, Beijing, 10083, Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 113-117

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）