场板对GaN基电力电子器件电学性能的影响

摘要：

　　基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050V的电力电子器件,此时器件的特征通态电阻为4.0 mΩ。cm2,是相同击穿电压SiMOSFET的电阻的二十分之一。本文结果证明了场板在提高器件击穿电压上有重要作用,也证明了AlGaN/GaN HEMT在功率电子应用领域必将成为最有潜力的电力电子器件之一。

关键词： 电力电子器件 异质结构 场板长度 击穿电压 特征通态电阻

作者: 林德峰 Defeng Lin Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 王翠梅 Cuimei Wang 康贺 He Kang Lijuan Jiang 姜丽娟 Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Jianping Li 李建平 刘宏新 Hongxin Liu 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics, Beijing, 10083, Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 125-128

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）