AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及特性研究

摘要：

　　通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高度,使得二维电子气的限域性显著提高。为了提高材料的结晶质量和电学特性,文中采用AlGaN和GaN相结合作为缓冲层,即先生长700nm GaN缓冲层再生长600rim Al0.07Ga0.93N缓冲层。高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜测试结果表明,材料的结晶质量和表面形貌均得到了显著的提高。同时,通过室温霍尔和方阻测试得出,双异质结材料的二维电子气迁移率达到1821cm2/Vs,方块电阻平均值338.5Ω/□,方阻均一性0.85％。最后,利用变温霍尔测试,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料的二维电子气密度和迁移率随温度变化进行了研究。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结具有更好的高温特性。

关键词： 半导体材料 双异质结 二维电子气 生长特性

作者: Fanna Meng 孟凡娜 Jincheng Zhang 张进成 Hao Zhou 周昊 Peishui Cui 崔培水 Huijuan Wen 温慧娟 Yue Hao 郝跃

作者单位: State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronic 西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 133-136

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）