基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统
GaN HEMI微波内匹配大功率器件，因其具有体积小、重量轻、输出功率大、工作温度高等方面的优势，将在各类通信、雷达、导航等设备中得到了广泛的应用，特别是在航空、航天、相控阵雷达等特殊领域要求整机小型化方面，具有较大的应用前景。然而，在内匹配测试过程中涉及到的步骤繁琐，牵连到的设备众多且需要实时记录各类数据，致使其测试严重的滞后整个流程。因此，该文章描述了一种自行研制的自动化的，针对于GaN HEMT内匹配的微波测试系统。<br> 内匹配技术是指将有源器件和阻抗匹配电路一同封装在管壳内部，使之成为输入阻抗和输出阻抗达到一定要求的器件阻抗匹配技术。然而，由于系统中涉及到太多的微波设备，仪器的手动设置以及数据的存储问题严重滞后了测试进度，加重了测试任务。自动化测试系统很好的解决了测试过程出现的问题，实现了测试自动化。操作简便，测试结果快捷存储是本系统的特色。由于测试系统很好的协调测试过程中多台仪器间时序问题，免除了测试过程中的仪器互连和繁琐的设置问题，使用户把更多的专注力集中在测试上。测试软件贴近实际操作，人性化的界面，可拓展的功能使之具有很大的实用潜力。
高电子迁移率晶体管 内匹配技术 微波测试系统 氮化镓材料
Sihua Ouyang 欧阳思华 Qin Ge 戈勤 Yingkui Zheng 郑英奎 Xiaojuan Chen 陈晓娟 Xinyu Liu 刘新宇
Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029 中国科学院微电子研究所,北京 100029
国内会议
开封
中文
141-144
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）