渐变AlGaN沟道层对AlGaN/AlN/AlGaN/GaN HEMT结构电子气的影响

摘要：

　　本文通过一维Poisson-Schrōdinger自洽求解，计算了AlGaN/AlN/AlGaN/GaN异质结导带结构和电子气的分布。研究了AlGaN渐变沟道层对能带结构和电子气分布的影响，并对不同条件下电子在不同子带上的分布进行了计算与分析。从计算结果可以看出增大AlGaN渐变层的A1组分以及增大渐变层的厚度都会改变沟道的能带，并使电子向衬底方向扩展，改变电子的分布。

关键词： 高电子迁移率晶体管 异质结导带结构 沟道层 电子气分布

作者: 渠慎奇 Shenqi Qu Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Lijuan Jiang 姜丽娟 Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, Chi Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, Chi 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, Chi ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Dewces for lnformatics, Beijing, 100083, Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 145-147

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）