Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件制备及电学特性研究

摘要：

　　本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110meS/mm.通过将其同AlGaN/GaN HFET器件电学特性进行对比,发现Al2O3介质层的插入降低了栅极漏电流,增加了最大饱和沟道电流。同时由于棚介质电容的存在,MOS-HFET器件的跨导gM要比HFET器件减小,即栅压对沟道的控制能力减小,同时阈值电压也向负方向发生移动。为了进一步提高器件性能,应考虑采用更高介电常数的栅介质层材料。

关键词： 场效应半导体 栅介质层 异质结构 器件制备 电学特性

作者: Zhen Shen 沈震 Jincheng Zhang 张金城 Guilin Zhou 周桂林 Zhiyuan He 贺致远 姚尧 Yao Yao 倪毅强 Yiqiang Ni Fan Yang 杨帆 刘扬 Yang Liu

作者单位: School of Physics and electronics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510006, China 中山大学物理科学与工程技术学院,广州 510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 148-151

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）