GaN/Si纳米孔柱阵列的制备及研究

摘要：

　　用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温真空管式炉中利用金属镓与氨气的反应在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)表面沉积GaN纳米结构。用场发射扫描电镜(FESEM)来研究其形貌；X射线衍射(XRD)表明氮化镓为六方纤锌矿结构：氮化镓在大约360 nm处出现本征峰,同时还有位于550 nm处的宽的黄光峰：电致发光图谱显示,它在大约550 nm和810nm处均有一个发光峰,随着电压的增大,810 nm处的发光峰逐渐增强,其强度在1OV时超过了550 nm处发光峰的强度。

关键词： 化合物半导体 纳米孔柱阵列 制备工艺 性能表征

作者: Yarui Wan 万亚蕊 Xiaobo Wang 王小波 Changbao Han 韩昌报 Xiaobo Meng 孟晓波 Lixia Su 苏丽霞 Xinjian Li 李新建

作者单位: School of Physics and electronics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052 郑州大学物理工程学院,郑州 450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 152-155

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）