p-NiO/n-GaN发光二极管光电特性的研究

摘要：

　　本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜，从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料具有良好的结晶质量并呈现p型导电特性。电流-电压(I-V)特性测试结果显示了该p-NiO/n-GaN异质结发光二极管典型具有典型的整流特性，开启电压大约2.2V。在正向偏压下，该二极管室温下发出明显的紫外光，发光中心位于375nm。

关键词： 发光二极管 化合物半导体 磁控溅射 光电特性 紫外光

作者: Hui Wang 王辉 武超 Chao Wu Jinxiang Zhang 张金香 Zhifeng Shi 史志锋 Baolin Zhang 张宝林 Yan Ma 马艳 董鑫 Xin Dong Guotong Du 杜国同

作者单位: State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J 集成光电子国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012;河南科技大学物理科学与工程学院,洛阳 471003 集成光电子国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 156-159

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）