Si-NPA上Pt催化Ga和NH3直接反应形成GaN纳米结构生长机理研究

摘要：

　　利用高温管式炉,Pt作为催化剂,金属Ga和氮气直接反应得到了不同形貌的GaN纳米结构。通过研究不同温度和不同氨气压强下GaN纳米结构的形貌,提出其中的纳米线是典型的顶部气-液-固(vLS)生长,而其他纳米结构是在已经成核的GaN晶粒上自催化(SCG)的气-固(VS)生长的结果。GaN纳米纳米锥串则是vLS生长的纳米线侧向VS生长的结果。Pt对GaN纳米线和早期的GaN成核是必需的,但对后期纳米线以外的其他纳米结构的生成并非必需。不同生长条件下vLS和vS机制的相互竞争最终决定了BaN的形貌。

关键词： 氮化镓半导体 纳米结构 合成工艺 生长机理

作者: XiaoBo Wang 王小波 YaRui Wan 万亚蕊 LingLing Yan 闫玲玲 XinJan Li 李新建

作者单位: Department of Physics and Key Laboratory of Material Physics of Education Ministry, Zhengzhou Univer 郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,郑州 450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 160-165

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）