Yb离子注入掺杂GaN薄膜的结构和磁性研究

摘要：

　　采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质,在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有第二相出现,拉曼散射结果表明离子注入引入的晶格缺陷不能通过快速热退火完全消除。GaN：Yb样品退火后都表现出室温铁磁性,p-型掺杂有助于增强其铁磁性能。

关键词： 氮化镓薄膜 稀磁半导体 结构特征 室温铁磁性 镱离子

作者: Chunhai Yin 尹春海 Chao Liu 刘超 Dongyan Tao 陶东言 Yiping Zeng 曾一平

作者单位: Semiconductor Materials Science Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Be 中国科学院半导体研究所 材料科学中心,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 166-169

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）