高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究

摘要：

　　本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN的背景电子浓度低至1.4×1017 cm-3。分析了杂质和缺陷对InN电子迁移率和背景电子浓度的影响,确定了降低背景电子浓度的有效途径。研究了InN的p型掺杂,利用多种方法证明了InN的p型电导。

关键词： 氮化铟半导体 分子束 外延生长 p型掺杂 电子迁移率

作者: Xinqiang Wang 王新强 Shitao Liu 刘世韬 Xiantong Zheng 郑显通 Guang Chen 陈广 Dingyu Ma 马定宇 Bo Shen 沈波

作者单位: School of Physics, State Key Laboratory of artificial Microstructure & Mesoscopic Physics 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 184-185

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）