基于AlGaN/GaN异质结的新型电力电子器件研究

摘要：

　　随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述，同时还介绍了几年来在该领域所取得的一些成果，包括基于AlGaN/GaN异质结的电力电子材料设计与生长、器件设计以及工艺研究，这些成果也为中国在该领域进一步研制高性能新型GaN电力电子器件打下了一定基础。

关键词： 场效应半导体 电力电子器件 异质结构

作者: Hongling Xiao 肖红领 王晓亮 Xiaoliang Wang Cuimei Wang 王翠梅 Lijuan Jiang 姜丽娟 Defeng Lin 林德峰 He Kang 康贺 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Seraiconductors, Chinese Academy of Science 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Seraiconductors, Chinese Academy of Science 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Seraiconductors, Chinese Academy of Science ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Information, Beijing, 10083, Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 186-190

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）