InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件

摘要：

　　已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为20、17和21弧秒。中波器件在77K温度下的50％截止波长为4.8微米,相应最大值4.2微米处探测率为2.4×1011 cm.H205/W；长波器件在77K温度下的50％截止波长为9.6微米,峰值响应率为3.2 A/W；甚长波器件在77K温度下的50％截止波长为14.5微米,Johnson噪声限制的探测率为4.3×109cm·Hz0.5/W。还研制成功通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波／甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器器件,此器件在77K温度下的50％的截止波长分别为10和16微米,两个响应带的光学串扰只有约10％。

关键词： 红外探测 二类超晶格 化合物半导体 材料选择 器件研发

作者: Wenquan Ma 马文全 Yanhua Zhang 张艳华 Yang Wei 卫炀 Jianliang Huang 黄建亮 Yulian Cao 曹玉莲 Kai Cui 崔凯 Xiaolu Guo 郭晓璐

作者单位: Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China 中国科学院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 191-192

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）