高特性GaAs基异变谐振腔增强型1.55μmInGaAs光电探测器

摘要：

　　本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μm InGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长。底镜和顶镜分别是由20对AlAs/GaAs分布布拉格反射器(DBR)和两对Ta2Os/SiO2 DBR组成,腔内InGaAs和GaAs之间的失配应变由线性缓变的IrxAl0.4Ga0.6-xAs缓变层调节(In组分由0.02线性变化到0.5)。器件的暗电流在0V和-5V时分别为29pA和2.1nA,响应度在1.55μm波长达到76.8％,半高全宽为12nm,并获得高达12GHz的3-dB带宽。

关键词： 光电探测器 异变谐振腔增强 化合物半导体 性能评价

作者: Shaoqing Liu 刘少卿 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 Haiqiao Ni 倪海桥 Jifang He 贺继方 Xin Wang 王欣 Bin Li 李彬 牛智川

作者单位: State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sc 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中科院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 200-203

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）