非极性AlN薄膜的外延生长及光学性质
采用激光分子束外延技术,分别在非极性m面Sapphire和非极性m面ZnO缓冲层的Sapphire衬底上获得了外延的非极性m面AlN薄膜。从XRD中可以看出,ZnO缓冲层的引入减小了AlN与Sapphire衬底的晶格失配。根据Φ扫描结果得到AlN与ZnO缓冲层及Sapphire衬底面内关系为AIN∥ZnO∥Sapphire,”0001”AIN∥”0001”ZnO∥”-12-10” Sapphire,”-12-10”AlN∥”-12-10”ZnO//”0001”Sapphire。原子力显微镜结果显示ZnO缓冲层的引入使非极性m面AlN薄膜从颗粒转变为横向条状生长。透射光谱显示非极性m面AlN薄膜具有很好的透过率(>90％),对应带隙宽度为5.8 eV。外延高质量的m面非极性AlN/ZnO/Sapphire异质结,可以用来研究非极性发光器件。
非极性氮化铝 半导体薄膜 外延生长 光学性质
Hongtao Wang 王宏涛 Caihong Jia 贾彩虹 Xiuwen Chen 陈秀文 Weifeng Zhang 张伟风
School of Physics and electronics, Henan University, Kaifeng, 475004, China 河南大学物理与电子学院,开封 475004
国内会议
开封
中文
207-207
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）