1.3-2.4微米InP基低维InAs材料的MOVPE生长

摘要：

　　基于金属有机物气相外延(MOVPE)系统设计并生长了发光波长涵盖1.3-2.4微米范围的InP基InAs量子点材料和InAs量子阱材料。通过调节InP基InAs量子点的外延生长参数，实现了室温光致发光谱(PL)峰值波长在1.30-1.87微米的InAs量子点材料。通过InP基InAs量子阱的结构设计和生长条件优化，可以实现波长范围为2-2.4微米的InAs量子阱材料。

关键词： 砷化铟材料 微米磷化铟基 生长模式 金属有机物气相外延 量子阱

作者: 季海铭 罗帅 杨涛 王占国

作者单位: 中国科学院半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 208-211

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）