AlN晶体生长系统的温度场分析

摘要：

　　采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分布情况。模拟结果表明：最高温度在坩埚上，并位于感应线圈的几何中心处。物料与结晶体之间的距离对温度梯度有很大的影响。在电源的输出电流、输出频率以及测温孔直径不变的情况下，选择适当的感应线圈匝间距、坩埚位置以及物料与晶体之间的距离可以提高坩埚内的轴向温度梯度和物料区温度，实现较快的晶体生长，得到较高的晶体质量。

关键词： 氮化铝晶体 半导体材料 温度场分析 数值模拟

作者: Mengmeng Li 李萌萌 Honglei Wu 武红磊 Ruisheng Zheng 郑瑞生

作者单位: Institute of Optoelectronics, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China 深圳大学光电子学研究所,深圳 518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 214-217

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）