InAlN/AlN/GaN HFET界面缺陷态研究

摘要：

　　当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数T～0.5-0.6us,界面缺陷态密度为l～3×lO12cm-2ev-1,说明虽然InAlN和6aN晶格匹配,但依然存在着比较大的界面缺陷态。

关键词： 高电子迁移率晶体管 异质结构 界面缺陷态 平行电导法 晶格匹配

作者: Sanlei Gao 高三垒 Zhaojun Lin 林兆军 Zhifang Cao 曹芝芳 Chongbiao Luan 栾崇彪 Zhihong Feng 冯志红 Zhanguo Wang 王占国

作者单位: School of Pbysics,Shandong Univeraity Jinan,250100, China 山东大学物理学院,济南 250100 State Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang,050051,China 专用集成电路国家重点实验室,石家庄 050051 Laboratory of Scmiconductors tor Materials Science, Instiute of Semiconductorz Chine are Academy of 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 218-220

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）