氮化铝晶针尺寸效应的拉曼散射研究

摘要：

　　利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加，使得拉曼探测信号的强度会随着AIN晶针直径的增加而增强。研究发现随着AlN晶针直径的增加A1(TO)模式的振动频率有明显的增加，而E21、A1(TO)、E22、E1(TD)和E1(LO)模式的振动频率没有明显的变化；另外，还发现随着AlN晶针直径的增加A1(TO)模式的半峰宽先增加后减小，而E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)模式的半峰宽没有明显变化。

关键词： 半导体材料 氮化铝晶针 尺寸效应 拉曼散射

作者: Wei Zheng 郑伟 Hong Lei Wu 武红磊 Fa Di Li 李发帝 Rui Sheng Zheng 郑瑞生

作者单位: Institute ofOptoelectronics, Shenshen University, Shenzhen, 518060, China 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060 Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China 中国科学院固体物理研究所,合肥,230031

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 225-228

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）