面入射型InGaAs/InP单行载流子(UTC)高频探测器

摘要：

　　本文优化设计了一种高频高饱和输出的单行载流子光电探测器(UTC-PD)。引入线性掺杂吸收区和窄InP崖层从而获得高频高饱和探测器。利用微电子工艺制备器件,并对其暗电流、光响应、接触电阻、低频电容和带宽进行了测试分析。结果显示,直径为15μm的探测器,在1V反偏电压下的暗电流为3.5nA。器件在1.55μm的入射光下的响应度为0.3A/W,零偏压下的饱和光强为135mW。3dB带宽为15GHz。

关键词： 面入射型高频探测器 单行载流子 化合物半导体 器件制备 性能评价

作者: Chong Li 李冲 Chunlai Xue 薛春来 Linzi Zhang 张岭梓 Buwen Cheng 成步文 Qingming Wang 王启明

作者单位: Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences,Beijing, 475004, China 中国科学院半导体研究所,北京100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 229-232

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）