Si掺杂InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究

摘要：

　　本文通过Si掺杂技术大幅提高了InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的性能。与同结构、无掺杂的参比电池相比,采用合适的Si掺杂技术,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的开路电压由0.67V提升至0.84V,效率由11.3％显著提升至17.0％。这种提升主要源于量子点材料缺陷密度的减少和器件中能量损失的降低。

关键词： 太阳能电池 半导体材料 量子点 中间能带 硅掺杂

作者: Xiaoguang Yang 杨晓光 Tao Yang 杨涛 Kefan Wang 王科范 Zhanguo Wang 王占国

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S 半导体材料科学重点实验室,中科院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 233-236

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）