GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外材料的背景载流子输运特性
自从InAs／GaSbⅡ类超晶格概念提出至今,其已经得到了迅速的发展,但目前报道的InAs／GaSbⅡ类超晶格探测器性能与其理论预期还有比较大的差距。为了进一步提高其性能以及最大化的实现其理论优势,仍有许多工作要开展。深入的研究了长波InAs/GaSbⅡ类超晶格材料载流子的输运特性。在此工作中,首先在抛光的GaSb衬底上生长了高质量的本征15MLslnAs/7MLsGaSbⅡ类超晶格材料,其截止波长为14微米。随后，利用机械抛磨和化学腐蚀去掉了导电性良好的GaSb衬底，并且通过变温霍尔方法得到了此外延材料的背景载流子传输特性。在整个测试温度区间(从15k到300k)，此超晶格材料呈现n型导电，其浓度在77k温度时是1.O×1O16/cm3，并拟和得到了高温区的电学激活能。也测得了载流子迁移率随温度的变化曲线，并且利用声子散射，电离杂质散射和界面散射三种散射机理拟和了曲线，通过拟和发现，在此InAs/GaSb二类超晶格中界面散射对载流子的输运有着非常重要的影响，同时计算出了界面的粗糙程度。另外，还制作了15MLsInAs/7MLsGaSb超晶格单元器件，并对在76k下测得的的暗电流曲线进行了拟和，最后对本征超晶格的背景载流子来源做了讨论。
超晶格半导体 长波红外材料 背景载流子 输运特性 界面散射
徐志成 周易 徐庆庆 陈建新 何力
中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
国内会议
开封
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237-237
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）