基于AlGaN/GaN异质结构的肖特基整流器制备及其特性

摘要：

　　利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的正向电流密度达到100A/cm2。器件具有良好的击穿特性以及低的通态损耗,可在电力电子领域进行应用。

关键词： 肖特基整流器 异质结构 制备工艺 性能评价 击穿电压

作者: 康贺 He Kang Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 王翠梅 Cuimei Wang 姜丽娟 Lijuan Jiang Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Defeng Lin 林德峰 Jianping Li 李建平 刘宏新 Hongxin Liu 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics, Beijing, 10083, Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083;西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 242-244

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）