自开关器件电学特性模拟
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性,本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压,得到了沟道内部电势分布图,分析了器件的整流特性,从电势的角度解释了器件的工作原理。同时分析了不同器件表面参数对器件电流特性的影响:沟道宽度越大,开启电压越大,特定电压下的电流也越大:水平沟槽宽度越大,反向漏电流越大;而沟道的长宽比如果过小的话,会出现短沟道效应,影响器件的整流性能。这些模拟为今后开展自开关器件应用方面的工作提供了理论依据。
自开关器件 半导体材料 表面参数 电学特性 数值模拟
Chenglei Nie 聂诚磊 Xiaohong Yang 杨晓红 Shaoqing Liu 刘少卿 Bin Li 李彬 Weihong Yin 尹伟红 Qin Han 韩勤
State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083
国内会议
开封
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246-249
2012-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)