Ⅲ族氮化物基稀磁半导体薄膜材料的研究
Ⅲ族氮化物基稀磁半导体是近年来在自旋电子学研究领域中受到广泛关注的研究热点和最有希望获得室温以上铁磁性的稀磁半导体材料之一。本文介绍了近两年来采用双能态离子注入法或两种元素共注入法在MOCVD外延生长的GaN、AlGaN、AlN和InGaN薄膜上制备Ⅲ族氮化物基稀磁半导体薄膜样品的结果。利用X射线衍射，拉曼散射光谱、Hall测试和超导量子干涉磁强计等测试手段对上述样品的微结构、电性能和磁性能进行了表征分析。结果显示稀土元素离子注入法制备的Ⅲ族氮化物基薄膜样品呈现出了复杂多样性的磁性能，特别是首次发现了注入Tb、Er样品中呈现的亚稳态铁磁性现象，并对上述样品的铁磁性起源机理进行了简要分析，指出了进一步开展稀磁半导体材料研究的方向。
氮化物薄膜 稀磁半导体 室温铁磁性 离子注入
刘超 尹春海 陶东言 李建明 徐嘉东 曾一平
中国科学院半导体研究所,北京 100083
国内会议
开封
中文
250-254
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）