C:Si共掺杂AlN的电子结构分析

摘要：

　　采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了C：Si共掺杂纤锌矿AlN的32原子超胞体系的能带结构、电子态密度等性质,分析了C：Si共掺实现p型掺杂的机理。在AlN的掺杂体系中,当C、Si的浓度相等时,C-Si复合物形成,施主和受主杂质会相互补偿,导电性较弱；当提高C的掺杂浓度时,可能有C2-Si,C3-Si等复合物的形成,这些复合物的形成通常能够提高受主杂质的固溶度,降低受主激活能,有效提高空穴浓度。C：Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体。

关键词： 氮化铝晶体 半导体材料 电子结构 共掺杂机理

作者: Zheng Yan 闫征 Ruisheng Zheng 郑瑞生 Honglei Wu 武红磊

作者单位: College of Optoelectronic engineering,Shenzhen University, Shenzhen 518060, China 深圳大学光电子学研究所,深圳 518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 255-258

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）