AlSb/InAsxSb1-x高电子迁移率晶体管外延材料生长

摘要：

　　采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAsSb结构的高电子迁移率晶体管(HEMTs)。生长中采用了新型挡板开关顺序,实验发现,室温下非有意掺杂的HEMT结构二维电子气迁移率可以达到16170 cm2/Vs,实验研究了生长温度对二维电子气迁移率的影响。实验发现,随着温度的升高,电子迁移率得到了极大的提高。

关键词： 高电子迁移率晶体管 分子束外延 材料生长 化合物半导体

作者: Yuwei Zhang 张雨溦 Yang Zhang 张杨 Baoqiang Wang 王宝强 Zhanping Zhu 朱战平 Yiping Zeng 曾一平

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academ y of 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 259-261

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）