在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜

摘要：

　　采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在六方的sapphire (0006)和立方MgO (111)衬底上为均外延生长，其关系为(0002)”11-20”AIN//(111)”0-11”Mgo、(0002)”11-20”AIN//(0006)”01-10”(sap)，在Si衬底上并未发现外延关系；ω扫描结果看出MgO (111)衬底上AIN外延膜的半高宽比Si和sapphire衬底上都要小。依据界面原子捧布模式和界面能。分析外延膜晶体质量。

关键词： 氮化铝薄膜 激光分子束 外延生长 立方氧化镁衬底 晶体质量

作者: Xiuwen Chen 陈秀文 Caihong Jia 贾彩虹 Hongtao Wang 王宏涛 Weifeng Zhang 张伟风

作者单位: Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province, School of Physics and electronic.s, Hena 河南大学 物理与电子学院 光伏材料省重点实验室,开封 475004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 268-268

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）