重P型掺杂GaAsSb费米能级研究

摘要：

　　重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能级与Sb组分的关系,由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明,mh和nh共同主导了费米能级的变化。

关键词： 化合物半导体 基区材料 重P型掺杂 费米能级

作者: Hanehao Gao 高汉超 Zhijun Yin 尹志军 Wei Cheng 程伟 Yuan Wang 王元 Xiaojun Xu 许晓军 Zhonghui Li 李忠辉

作者单位: Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratorys, Nanjing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 272-275

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）