Sb基高电子迁移率晶体管外延材料生长

摘要：

　　采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道对提高二维电子气迁移率有很大的作用。研制的AlSb/InAs HEMT室温下迁移率最高达到了23050cm2/Vs,二维电子气浓度为2.8×l012/cm2。

关键词： 高电子迁移率晶体管 分子束外延 材料生长 化合物半导体

作者: Yang Zhang 张杨 张雨溦 Yuwei Zhang Yanbo Li 李彦波 Chengyan Wang 王成艳 Min Guan 关敏 Lijie Cui 崔利杰 Baoqiang Wang 王宝强 朱战平 Zhanping Zhu Yiping Zeng 曾一平

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所,材料重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 276-278

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）