MBE生长的高阻CdTe薄膜的光感生电流瞬态谱测量

摘要：

　　本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现至少有5个能级,能级位置分别为0.14,0.22,0.31,0.36和0.54ev。它们可能与残余杂质,Cd空位,Cd间隙及其它结构缺陷有关。

关键词： 高阻碲化镉 半导体薄膜 光感生电流瞬态谱 缺陷深能级

作者: Li chengji 李成基 Li yiyang 李弋洋 Zeng yipeng 曾一平

作者单位: Institute of semiconductors, Chinese Academy of sciences Beijing 100083 中国科学院半导体研究所 材料中心 北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 280-281

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）