退火前预处理对半绝缘砷化镓晶片光电性能的影响
利用垂直梯度凝固生长技术(VGF)制备了半绝缘砷化镓晶锭,经线锯切割后对晶片进行长时间的高温退火。在退火工艺前对晶片进行不同方法的预处理,利用辉光放电技术(Glow Discharge Mass Spectrometry,GDMS)、霍尔测试(Hall),傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Absorption Spectroscopy,FTIR)、光致发光(Photoluminescence,PL)测试系统和热激电流谱(Thermally Stimulated Current Spectroscopy,TSC)等测试手段,分析了退火后砷化镓晶片的成分、光学和电学性能。分析发现,退火前晶片的预处理对砷化镓的光电性能具有重要的影响。
半绝缘砷化镓 晶片预处理 光电性能 退火工艺
Dechun Liang 梁德春 Yuanli Wang 王元立 Wensen Liu 刘文森
Beijing TongmeiXtal Technology Co., Ltd, Beijing 101113 北京通美晶体技术有限公司,北京 101113
国内会议
开封
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282-284
2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）