分子束外延层中橄榄型缺陷的研究

摘要：

　　本文主要论述了用分子束外延(MBE)生长的砷化镓层的缺陷的种类，采用表面尘埃测试仪、扫描电子显微镜(SEM)、全色阴极发光(Panchromatic CL images)和空间分辨荧光仪(SPRL)研究缺陷的形貌、几何尺寸和光学性质，进一步分析了产生原因、影响因素及预防措施。

关键词： 半导体材料 砷化镓晶片 橄榄缺陷 分子束外延

作者: Yan Liu 刘岩 Diansheng Ren 任殿胜 Wensen liu 刘文森

作者单位: Beijing TongmeiXtal Technology Co., Ltd. Beijing, 101113, China 北京通美晶体技术有限公司,北京 101113

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 285-288

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）