MOCVD生长室温连续激射InAs/InGaAsP/InP量子点激光器

摘要：

　　本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材料。进一步，通过引入两温盖层生长技术成功地实现了对量子点材料尺寸分布的控制，使量子点芯片的光致荧光(PL)均匀性和可重复性均得到较大改善。所制作的脊型波导量子点激光器实现室温连续激射，平均每层的阈值电流密度低至460A/cm2。

关键词： 量子点激光器 化合物半导体 室温连续激射 金属有机化学气相沉积

作者: Shuai Luo 罗帅 Haiming Ji 季海铭 Tao Yang 杨涛 Zhanguo Wang 王占国

作者单位: Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Chinese Academy of Sciences, P.O.Box 912,Beijing 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 289-292

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）