InAs/AlSb量子阱结构材料表征

摘要：

　　利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb材料的能带结构分析研究的基础上,可以通过在InAs沟道上下两层的势垒中分别添加N型δ掺杂来提高沟道中二维电子气浓度。测试结果表明,在只有上层δ掺杂的InAs沟道中电子迁移率与二维电子气浓度分别为26000cm2/V·s,8.65×1011 cm-2,在下层势垒区中添加了δ掺杂以及上层势垒区添加InAs量子阱后的InAs/AlSb材料的电子迁移率与二维电子气浓度分别为16000 cm2/V·s,5.9×1012cm-2。

关键词： 化合物半导体 二维电子气 量子阱结构 迁移率 性能表征

作者: Xubin Ning 宁旭斌 Hongliang Lv 吕红亮 Yuming Zhang 张玉明 Yimen Zhang 张义门 Qiangsheng Cui 崔强生

作者单位: School of Microelectronic, Xidian University, Xian, 710071, China 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 293-295

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）