单模单向输出的AlGaInAs-InP微柱激光器

摘要：

　　利用标准光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了直接连接一个输出波导的微柱激光器,并且用BCB进行了包裹。对于直径为15μm,输出波导宽度为2μm的微柱形激光器成功实现了室温的连续注入激射。并且观察到了很好的单模输出特性,当注入电流分别为50和70mA时,波长从1563.5nm变到1573.4nm,边模抑制比分别为27dB和35dB。

关键词： 微柱激光器 化合物半导体 边模抑制比 室温连续激射 单模输出特性

作者: Shaoshuai Sui 隋少帅 Xiaomeng Lv 吕晓萌 Yongzhen Huang 黄永箴

作者单位: Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, 100083, China 中科院半导体研究所,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 296-298

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）