InAs单晶衬底表面氧化层形貌与晶片表面粗糙度的关系

摘要：

　　选用H2SO4和H202组合溶液对InAs表面氧化层进行湿法化学腐蚀处理后,通过光学偏振显微镜观察,发现在极薄氧化层条件下,InAs表面氧化层的粗糙度基本反映了氧化层覆盖的InAs晶片表面的粗糙度。用白光干涉仪测得的未腐蚀处理的InAs单晶抛光片表面租糙度为0.325 nm,处理后其表面粗糙度未发生明显变化。

关键词： 砷化铟 单晶衬底 抛光片 表面氧化层 粗糙度

作者: Wang jun 王俊 Wang fenghua 王凤华 Yang fengyun 杨凤云

作者单位: Institute Of Semiconductors, CAS, Beijing, 100083, China 中国科学院半导体研究所 北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 299-301

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）