InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)的模拟与优化

摘要：

　　InP基高电子迁移率晶体管(HEMT),以其优良的特性成为微波／毫米波高频段低噪声有源器件的主要选择之一,本文根据异质结构参数设计优化方法对InP基HEMT器件进行模拟并优化,并结合国内现有化合物半导体材料生长和器件工艺水平,得到了一组优化的InP基HEMT异质结构设计参数。模拟结果显示,器件的跨导大于800mS/mm,最大饱和电流350mA／mm,沟道电流截止电压-0.6V,电流增益截止频率196GHz,器件的DC与RF特性充分显示了器件在微波／毫米波高频段应用上的巨大潜力。

关键词： 高电子迁移率晶体管 磷化铟基 异质结构 优化设计

作者: Zhiming Wang 王志明 Xiaobin Luo 罗晓斌 Weihua Yu 于伟华 Xin Lv 吕昕

作者单位: School of Information and Electronics, Bering Institute of Technology, Beijing,100081, China 北京理工大学信息与电子学院,北京 100081

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 开封

会议语种:中文

页码: 302-304

在线出版日期: 2012-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）